STP8N65M5詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:650V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:690pF @ 100V
- 功率_最大:70W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 成形引線
- 供應商設備封裝:TO-220-3
- 包裝:管件
- 接線座 - 隔板塊 Cooper Bussmann 4-SMD,無引線(DFN,LCC) TERM BLK 75A 600V 6CIRC UL CSA
- DC DC Converters Power-One 11-SIP 模塊 CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 15W
- 軟件 STMicroelectronics KIT DEV EWARM DOC
- FET - 單 STMicroelectronics * MOSFET N CH 75V 78A TO-220
- PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 6-UFDFN IC SMART RESET 6-UDFN
- 網(wǎng)絡、陣列 Yageo 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206
- 接線座 - 隔板塊 Cooper Bussmann 4-SMD,無引線(DFN,LCC) TERM BLK 75A 600V 11CIRC UL CSA
- 晶體管(BJT) - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.13K OHM 0.05% 0805 SMD
- 網(wǎng)絡、陣列 Yageo 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206
- PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 6-UFDFN IC SMART RESET 6UDFN
- 接線座 - 隔板塊 Cooper Bussmann 4-SMD,無引線(DFN,LCC) TERM BLK 75A 600V 12CIRC UL CSA
- Slide Switches TE Connectivity 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) SWITCH SLIDE 2POS R/A BLACK T/H
- FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.40K OHM 1/8W 0.1% 0805