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當前位置:網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"SUD45P03-09-GE3"的供應信息

SUD45P03-09-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SUD45P03-09-GE3詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:45A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.7 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 15V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
包裝:帶卷 (TR)

SUD45P03-09-GE3詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:45A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.7 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 15V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
包裝:Digi-Reel®

SUD45P03-09-GE3詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:45A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.7 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 15V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
包裝:剪切帶 (CT)

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