SUM110N06-3M4L-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：12900pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）
- 包裝：Digi-Reel®
SUM110N06-3M4L-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：12900pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUM110N06-3M4L-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：12900pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）
- 包裝：剪切帶 (CT)
SUM110N06-3M9H-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15800pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）
- 包裝：剪切帶 (CT)
SUM110N06-3M9H-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15800pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUM110N06-3M9H-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15800pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）
- 包裝：Digi-Reel®
- 螺線形繞線，伸縮套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP UV POLY 1" X 25’
- 鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 20% 1411
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 23POS FREE HNG W/PINS
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
- 邏輯 - 移位寄存器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引線） IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19 POS STRAIGHT W/SCKT
- 鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 20% 1411
- 螺線形繞線，伸縮套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP PVC 1/8" X 100’
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19 POS STRAIGHT W/SCKT
- 邏輯 - 觸發(fā)器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引線） IC HOLD REGISTER 9-BIT 28-PLCC
- 鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 47UF 10V 20% 1411
- 螺線形繞線，伸縮套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP PVC 1/8" X 25’
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 23POS FREE HNG W/PINS
0755-88917652 
0755-83222787 
