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SUM110P06-07L-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：345nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：11400pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

SUM110P06-07L-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：345nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：11400pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：Digi-Reel®

SUM110P06-07L-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：345nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：11400pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：剪切帶 (CT)

SUM110P06-08L-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9200pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

SUM110P06-08L-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9200pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：剪切帶 (CT)

SUM110P06-08L-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9200pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：Digi-Reel®

VJ1206A470KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 47PF 630V 10% NP0 1206
VJ1210A910JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 91PF 630V 5% NP0 1210
TA35-CBDWM200C0-CZM23
斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 20A ROCKER 240VAC
SUM110P04-05-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
T200-RIBBON-1966
配件 TE Connectivity RIBBON BLK RESIN FOR T200 PRINT
VJ1206A470MXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 47PF 1KV 20% NP0 1206
VI-JNB-CW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
VE-JTJ-MW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W
VJ1210A910KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 91PF 100V 10% NP0 1210
T200-RIBBON-1966
配件 TE Connectivity RIBBON BLK RESIN FOR T200 PRINT
VJ1206A471JBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 470PF 50V 5% NP0 1206
VI-JNB-CW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
VJ1210A910KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 91PF 630V 10% NP0 1210
TA35-CBTBH040C0
斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 4A ROCKER 240VAC
SUM18N25-165-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 18A D2PAK

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