久久精品无码一区二区三区,久久精品一区二区,,久久av高潮av无码av

SI7434DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7434DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7434DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7434DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7434DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7434DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SIP21123DT-T1-E3
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Vishay Siliconix SOT-23-5 細型，TSOT-23-5 IC REG LDO SOT23-5L
MS27513E8B35AA
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 6POS BOX MT PIN
SML3020
燈 - 白熾燈，氖燈 JKL Components Corp. 0805（2012 公制） LAMP T1.25 TELE SLIDE L 30V .02A
SI7434DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
MS3106F36-5P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 4 POS STRAIGHT W/PINS
SI1473DH-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET P-CH 30V SC-70-6
SR201C153KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL
SIP32431DNP3-T1GE4
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) Vishay Siliconix 4-UFDFN 裸露焊盤 IC SWITCH HIGH SIDE 4TDFN
SML310BATT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 428NM BLUE WTR CLR 0603 SMD
SI1539DL-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
MS3106R10SL-4P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 2 POS STRAIGHT W/PINS
SR201C153MAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.015UF 100V 20% RADIAL
SIP4280ADT-1-T1-E3
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) Vishay Siliconix SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 IC SW W/CTRL SLEW RATE TSOT23-6
MS27513E8B44S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
SML-310VTT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 650NM RED WTR CLR 0603 SMD