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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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TK100 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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TK100E06N1,S1X詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 60V 100A TO-220
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫歐 @ 50A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:10500pF @ 30V
功率_最大:255W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220-3
包裝:管件

TK100E08N1,S1X詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 80V 214A TO220
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:214A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫歐 @ 50A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA,10V
閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:9000pF @ 40V
功率_最大:255W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220-3
包裝:管件

TK100E10N1,S1X詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 100V 207A TO220
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:207A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.4 毫歐 @ 50A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA,10V
閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:8800pF @ 50V
功率_最大:255W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220-3
包裝:管件

TK100F04K3(TE24L,Q詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫歐 @ 50A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:102nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 10V
功率_最大:180W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220SM(W)
包裝:剪切帶 (CT)

TK100F04K3(TE24L,Q詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫歐 @ 50A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:102nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 10V
功率_最大:180W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220SM(W)
包裝:帶卷 (TR)

TK100F04K3(TE24L,Q詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫歐 @ 50A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:102nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 10V
功率_最大:180W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220SM(W)
包裝:Digi-Reel®

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