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TPC8018-H(TE12L)詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：剪切帶 (CT)
TPC8018-H(TE12L)詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：帶卷 (TR)
TPC8018-H(TE12L)詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：Digi-Reel®
TPC8018-H(TE12L,Q)詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：剪切帶 (CT)
TPC8018-H(TE12L,Q)詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：Digi-Reel®
TPC8018-H(TE12L,Q)詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-223-6 IC REG LDO 3V .25A SOT223-6
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP
- 鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V 2A 20-HTSSOP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.3V .25A SOT23-5
- RF 解調(diào)器 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盤 IC IQ DEMODULATOR 48VQFN
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V 2A 20-HTSSOP
- 鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
- RF 解調(diào)器 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盤 IC IQ DEMODULATOR 48VQFN
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-223-6 IC REG LDO 5V .25A SOT223-6
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V 2A 20HTSSOP
0755-23051326 
0755-23914006 
