UMF21NTR詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PNP/DTR BIP 12V .5A SOT363
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA,500mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,12V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz,260MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:UMT6
- 包裝:帶卷 (TR)
UMF21NTR詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PNP/DTR BIP 12V .5A SOT363
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA,500mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,12V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz,260MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:UMT6
- 包裝:剪切帶 (CT)
UMF21NTR詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PNP/DTR BIP 12V .5A SOT363
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA,500mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,12V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz,260MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:UMT6
- 包裝:Digi-Reel®
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