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UMG11NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-353; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT5; 包裝：帶卷 (TR)

UMG11NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-353; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT5; 包裝：剪切帶 (CT)

UMG11NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-353; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT5; 包裝：Digi-Reel®

UMG1NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-353; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT5; 包裝：剪切帶 (CT)

UMG1NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-353; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT5; 包裝：Digi-Reel®

UMG1NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-353; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT5; 包裝：帶卷 (TR)

TNPW120622K0BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 22.0K OHM 1/4W 0.1% 1206
PMEG3005AEV,115
單二極管/整流器 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 SCHOTTKY RECT 30V 0.5A SOT666
UMG1NTR
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-353
PS0030BE47136AP1
陶瓷 Vishay Beyschlag 軸向 CAP CER 470PF 5KV 10% CHASSIS
V24C5T100BG
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5V 100W
PSA15LN3-033
AC DC 轉(zhuǎn)換器 PHIHONG USA 6-DIP 模塊 POWER SUPPLY OPEN FRAME 15W
UMF6NTR
晶體管 - 專用型 Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS PNP/N-CH 12V 500MA SOT-363
TNPW120622K1BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 22.1K OHM 1/4W 0.1% 1206
V375A54H600BG
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 54V 600W
PS0030BE47136AP1
陶瓷 Vishay Beyschlag 軸向 CAP CER 470PF 5KV 10% CHASSIS
V24C5T100BL
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5V 100W
UMG4N-7
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 TRANS ARRAY DUAL SOT-353
PSA15LN3-090
AC DC 轉(zhuǎn)換器 PHIHONG USA 6-DIP 模塊 POWER SUPPLY OPEN FRAME 15W
V375A54H600BG2
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 54V 600W
TNPW120622K6BEEN
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 22.6K OHM 1/4W 0.1% 1206

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