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URS1V101MPD 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

URS1V101MPD詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 100UF 35V 20% RADIAL

系列：RS

制造商：Nichicon

電容：100µF

額定電壓：35V

容差：±20%

壽命0a0溫度：85°C 時(shí)為 2000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 85°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：220mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.315" 直徑（8.00mm）

高度_座高（最大）：0.413"（10.50mm）

引線間隔：0.138"（3.50mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• URZ0J222MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL

• URS1HR47MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 0.47UF 50V 20% RADIAL

• TNPW25122K32BEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW121082K0BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 82.0K OHM 1/3W 0.1% 1210

• TPCA8065-H,LQ(S

  FET - 單    Toshiba    8-PowerVDFN    MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV

• URZ0J330MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 33UF 6.3V 20% RADIAL

• URS1J220MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 63V 20% RADIAL

• TNPW25122K32BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW121082R0BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 82.0 OHM 1/3W 0.1% 1210

• USR 2-0808 350 OHM D 0.01% 1PPM

  通孔電阻器    Riedon    徑向    RES 350 OHM .6W .01% FOIL RADIAL

• TPCC8003-H(TE12LQM

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

• URZ1C222MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 2200UF 16V 20% RADIAL

• URS2E470MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 47UF 250V 20% RADIAL

• TNPW121084K5BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 84.5K OHM 1/3W 0.1% 1210

• TNPW25122K40BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.40K OHM 1/2W 0.1% 2512