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URZ2D101MHD 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

URZ2D101MHD詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：電容器

描述：CAP ALUM 100UF 200V 20% RADIAL

系列：RZ

制造商：Nichicon

電容：100µF

額定電壓：200V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時(shí)為 1000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：420mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：-

阻抗：-

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.709" 直徑（18.00mm）

高度_座高（最大）：1.043"（26.50mm）

引線(xiàn)間隔：0.295"（7.50mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• TNPW25122K43BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.43K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TPCC8065-H,LQ(S

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤(pán)    MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV

• USR 2-T220B 2.20 OHM D 0.1% 3PPM

  通孔電阻器    Riedon    TO-220-2    RES 2.2 OHM 10W .1% FOIL TO-220

• URU2E680MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 68UF 250V 20% RADIAL

• URZ1V4R7MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 4.7UF 35V 20% RADIAL

• URU2F330MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 33UF 315V 20% RADIAL

• TNPW1210887KBEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 887K OHM 1/3W 0.1% 1210

• TNPW25122K55BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.55K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TPCC8067-H,LQ(S

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤(pán)    MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV

• URU2V100MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 10UF 350V 20% RADIAL

• URZ2G220MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 400V 20% RADIAL

• URU2V220MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 350V 20% RADIAL

• TNPW25122K55BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.55K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW1210887KBEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 887K OHM 1/3W 0.1% 1210

• TPCC8074,LQ(O

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤(pán)    MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON-ADV