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US6K4 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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US6K4TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TUMT6
包裝：Digi-Reel®

US6K4TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TUMT6
包裝：剪切帶 (CT)

US6K4TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TUMT6
包裝：帶卷 (TR)

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