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BSC042N03S 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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BSC042N03S G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：95A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 50A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3660pF @ 15V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：帶卷 (TR)

BSC042N03S G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：95A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 50A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3660pF @ 15V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：Digi-Reel®

BSC042N03S G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：95A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 50A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3660pF @ 15V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：剪切帶 (CT)

BSC042N03ST詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 50A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3660pF @ 15V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：帶卷 (TR)

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