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BSP170PE6327 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSP170PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP170PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP170PE6327T詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP170PE6327T詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

B43505G2477M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
B3D-5112
觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 12V
BSP170PE6327T
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
BGA7210,515
RF 放大器 NXP Semiconductors 32-VFQFN 裸露焊盤 RF AMP 3.8GHZ VGA 32HVQFN
BD48K25G-TL
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 2.5V OD SSOP3
BR24L04FVT-WE2
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP
BFG 19S E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
B43505G2477M82
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
C3216C0G2A682J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 6800PF 100V 5% NP0 1206
BGA7350,515
其它 NXP Semiconductors IC AMP MMIC DUAL VGA 32HVQFN
BD48K45G-TL
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 4.5V OD SSOP3
BR24L16FJ-WE2
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
B82422T1393K
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 39UH 10%
BFG.1K.100.NAS
圓形 - 配件 LEMO CAP F.PLUG CDG COVER
C3216C0G2E392J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 3900PF 250V 5% NP0 1206