BSP32 全國供應商、價格、PDF資料

BSP32,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：剪切帶 (CT)

BSP32,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：帶卷 (TR)

BSP32,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：Digi-Reel®

BSP320S E6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP320S E6433詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP320S L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

• BU-23-2

  配件    Mueller Electric Co        INSULATOR PVC RED 5"

• B43858C9335M

  電容器    EPCOS Inc        3.3UF 400V SINGLE END

• 741C083101JP

  網(wǎng)絡、陣列    CTS Resistor Products    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 100 OHM 4 RES 0804

• B72214S2950K101

  TVS - 變阻器，MOV    EPCOS Inc    圓盤 14mm    VARISTOR S14K95E2

• BSP3-208/240

  照明保護    Thomas Research Products        SURGE PROTECTOR-208/240V DRIVER

• BU-23-4

  配件    Mueller Electric Co        INSULATOR PVC YELLOW 5"

• B43501A107M7

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 100UF 420V

• C0805C475K8RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 0805

• B43858C9336M9

  電容器    EPCOS Inc        33UF 400V SINGLE END

• B72214S421K331

  TVS - 變阻器，MOV    EPCOS Inc    圓盤 14mm    VARISTOR S14K420G3S3

• BU-23-5

  配件    Mueller Electric Co    圓盤 14mm    INSULATOR FOR BU-21 SERIES GREEN

• C0805C475K9PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7UF 6.3V 10% X5R 0805

• B43501A1108M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 1000UF 160V

• 741C083102JP

  網(wǎng)絡、陣列    CTS Resistor Products    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 1K OHM 4 RES 0804

• B43858F2106M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SINGLE END 10UF 250V