BSP89 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BSP89 E6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：240V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP89 L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：240V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP89 L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：240V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：Digi-Reel®

BSP89 L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：240V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

BSP89,115詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：240V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：375mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 340mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73

包裝：Digi-Reel®

BSP89,115詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：240V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：375mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 340mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73

包裝：帶卷 (TR)

• BSP89 L6327

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

• C4520C0G3F470K

  陶瓷    TDK Corporation    1808（4520 公制）    CAP CER 47PF 3KV 10% NP0 1808

• 78M6613-SP-1

  評估演示板和套件    Maxim Integrated        EVAL KIT 78M6613-SP-1

• 7B-36.000MAAE-T

  晶體    TXC CORPORATION    4-SMD    CRYSTAL 36.000 MHZ 12PF SMD

• C0402C331K5RALTU

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0402

• 808-0128-S

  配件    Staco Energy Products Company    0402（1005 公制）    TRANSFRMER BRUSH 501 501C

• 8161J81ZGE22

  按鈕    C&K Components    0402（1005 公制）    SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 120V

• C1206C102KGRACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1206

• C4520C0G3F820K

  陶瓷    TDK Corporation    1808（4520 公制）    CAP CER 82PF 3KV 10% NP0 1808

• 7B-40.000MAAJ-T

  晶體    TXC CORPORATION    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 40.000 MHZ 18PF SMD

• C0402C331K8RACTU

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 330PF 10V 10% X7R 0402

• 808-0128-S

  配件    Staco Energy Products Company    0402（1005 公制）    TRANSFRMER BRUSH 501 501C

• C1206C102KGRACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1206

• C4520C0G3F820K

  陶瓷    TDK Corporation    1808（4520 公制）    CAP CER 82PF 3KV 10% NP0 1808

• 78Q2120C09-CGTR/F

  PMIC - 能量測量    Maxim Integrated        IC TXRX 10/100BASE-TX 64LQFP