BSR30 全國供應商、價格、PDF資料

BSR30,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V

功率_最大：1.35W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應商設備封裝：SOT-89-3

包裝：剪切帶 (CT)

BSR30,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V

功率_最大：1.35W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應商設備封裝：SOT-89-3

包裝：帶卷 (TR)

BSR30,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V

功率_最大：1.35W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應商設備封裝：SOT-89-3

包裝：Digi-Reel®

BSR30,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V

功率_最大：1.35W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應商設備封裝：SOT-89-3

包裝：帶卷 (TR)

BSR302N L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：PG-SC-59

包裝：剪切帶 (CT)

BSR302N L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：PG-SC-59

包裝：帶卷 (TR)

• C0805C105Z8VACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 10V Y5V 0805

• 74LVC1G126GW,125

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    NXP Semiconductors    6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353    IC BUFF DVR TRI-ST N-INV 5TSSOP

• C0603C821J5GACAUTO

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603

• BQ24103AEVM

  評估演示板和套件    Texas Instruments    0603（1608 公制）    BQ24103AEVM

• C0603C391J4GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 390PF 16V 5% NP0 0603

• BK1/S500-1.6-R

  保險絲    Cooper Bussmann    5mm x 20mm    FUSE 1.6A 250V FAST 5X20 IEC

• C2012X6S1H105K

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 50V 10% X6S 0805

• C0805C106K4PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10UF 16V 10% X5R 0805

• C0603C821J5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603

• BQ24103RHLR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    20-VFQFN 裸露焊盤    IC LI-ION/POL CHARGE MGMT 20-QFN

• C2012X6S1H105M

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 50V 20% X6S 0805

• BK1/S501-125-R

  保險絲    Cooper Bussmann    5mm x 20mm    FUSE 125MA 250V FAST CERAM

• C0603C391J5RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 390PF 50V 5% X7R 0603

• C0805C106K8PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10UF 10V 10% X5R 0805

• 74LVC1G126Z-7

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    Diodes Inc    SOT-553    IC BUFF/DVR TRI-ST 1BIT SOT553