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BSS84P E6433詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS84P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS84P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS84P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS84P L6433詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS84P-E6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

73G-IVAC240
輸入/輸出繼電器模塊 - 模擬 Grayhill Inc 44-TSSOP （0.244"，6.20mm 寬）裸露焊盤 I/O MODULE 28-280VAC 12-BIT;65.5
C324C103K5R5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 10000PF 100V 10% RADIAL
BSS84AKS,115
FET - 陣列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET P-CH 50V 160MA 6TSSOP
71918-144
矩形- 接頭，公引腳 FCI 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 QKE III HDR STR GXT WOL
BK/S-8201-10-R
保險絲座 Cooper Bussmann 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FUSEBLOCK 10POS FOR 1/4X1-1/4"QC
B41505A9228M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 2200UF 100V
BQE
接線座 - 配件 Cooper Bussmann MOUNTING ADAPTER END PIECE
73JA5K
旋轉(zhuǎn) - 線性 Honeywell Sensing and Control POT 5K OHM 2W WIREWOUND SS
C0805C181J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 0805
71918-160
矩形- 接頭，公引腳 FCI TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 QKE III HDR STR GXT WOL
BK/S-8201-5
保險絲座 Cooper Bussmann TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FUSEBLOCK 5POS FOR 1/4X1-1/4" QC
B41505A9567M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 560UF 100V
BQMTESTER
配件 Texas Instruments BOARD MULTI-CHANNEL TEST & PROG
73JB100
旋轉(zhuǎn) - 線性 Honeywell Sensing and Control POT 100 OHM 2W WIREWOUND NYLON
C0805C181J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0805

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