DTA123EM 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

DTA123EM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 2.2/2.2K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：帶卷 (TR)

DTA123EM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 2.2/2.2K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：剪切帶 (CT)

DTA123EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL PNP 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：帶卷 (TR)

DTA123EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL PNP 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：Digi-Reel®

DTA123EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL PNP 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：剪切帶 (CT)

• ERJ-8ENF24R0V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    RES 24.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ERJ-S14F37R4U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1210（3225 公制）    RES ANTI-SULFUR 37.4 OHM 1% 1210

• FSAL200QSC

  接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    Fairchild Semiconductor    16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC MUX/DEMUX QUAD 2X1 16QSOP

• ERJ-6RQJR33V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES .33 OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• DTA115EUAT106

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SC-70，SOT-323    TRANS PNP 50V 100MA SOT-323

• FDD86102LZ

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

• ERJ-S14F3832U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1210（3225 公制）    RES ANTI-SULFUR 38.3KOHM 1% 1210

• ERJ-8ENF24R3V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    RES 24.3 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• FSAL200QSCX

  接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    Fairchild Semiconductor    16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC MUX/DEMUX QUAD 2X1 16QSOP

• FDD86250

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK

• ERJ-8ENF24R9V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    RES 24.9 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ERJ-S14F3900U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1210（3225 公制）    RES ANTI-SULFUR 390 OHM 1% 1210

• FSAM10SH60A

  功率驅(qū)動(dòng)器    Fairchild Semiconductor    SPM32AA    SMART POWER MODULE 10A SPM32-AA

• ERJ-6RQJR39V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES .39 OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• FDD86326

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK