DTC114EUAT106詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRAN DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：UMT3
- 包裝：Digi-Reel®
DTC114EUAT106詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRAN DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：UMT3
- 包裝：帶卷 (TR)
DTC114EUAT106詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRAN DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：UMT3
- 包裝：剪切帶 (CT)
DTC114EUA-TP詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323
- 系列：-
- 制造商：Micro Commercial Co
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SOT-323
- 包裝：剪切帶 (CT)
DTC114EUA-TP詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323
- 系列：-
- 制造商：Micro Commercial Co
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SOT-323
- 包裝：Digi-Reel®
DTC114EUA-TP詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323
- 系列：-
- 制造商：Micro Commercial Co
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SOT-323
- 包裝：帶卷 (TR)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 18PF 100V 5% T2H 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 0.33UF 10V 20% X7R 0805
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS NPN 50V 50MA VMT3
- 邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC BUS SWITCH QUAD QUICK 14-SOIC
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 16-SOIC
- 固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 5.6 10%
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 144-BGA IC FIFO 65536X18 6-7NS 144BGA
- 配件 Maxim Integrated IC IBTN HOLDER USB SGL F5 W/CAP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 16V 20% X7R 0805
- 邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC BUS SWITCH 20BIT HI 48-TSSOP
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 16-SOIC
- 固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 8.2 10%
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 327768X20 5NS 208BGA
- 配件 Maxim Integrated IC IBTN HOLDER USB SGL F5 W/CAP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 9PF 100V T2H 1206
0755-88917652 
