DTC114YCA-TP詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Micro Commercial Co
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：-
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23
- 包裝：帶卷 (TR)
DTC114YEBTL詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-75，SOT-416
- 供應商設備封裝：EMT3
- 包裝：帶卷 (TR)
DTC114YET1詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-75，SOT-416
- 供應商設備封裝：SC-75，SOT-416
- 包裝：帶卷 (TR)
DTC114YET1G詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-75，SOT-416
- 供應商設備封裝：SC-75，SOT-416
- 包裝：剪切帶 (CT)
DTC114YET1G詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-75，SOT-416
- 供應商設備封裝：SC-75，SOT-416
- 包裝：Digi-Reel®
DTC114YET1G詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-75，SOT-416
- 供應商設備封裝：SC-75，SOT-416
- 包裝：帶卷 (TR)
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DELAY LINE 10TAP 125NS 14-DIP
- 信號，高達 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 12V
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 16-CDIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER QUAD EIA485/422 16CDIP
- 邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC MUX/DEMUX SW QUAD 2:1 16TSSOP
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 2048X36 6-7NS 208-BGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 6.3V 20% X7R 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 16V 10% X6S 1206
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DELAY LINE 10TAP 250NS 14-DIP
- 邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC MUX/DEMUX SW DUAL 4:1 16TSSOP
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 16384X36 4-4NS 208-BGA
- 接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盤 IC SERIALIZER LVDS 24BIT 48LLP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 50V 20% Z5U 1206
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DELAY LINE 10TAP 300NS 14-DIP
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS NPN 50V 70MA SOT-416
0755-83202411 
0755-23914006 
