DTC114YM 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

DTC114YM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 10/47K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：-

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：剪切帶 (CT)

DTC114YM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 10/47K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：-

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：帶卷 (TR)

DTC114YMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL NPN 50V 70MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：帶卷 (TR)

DTC114YMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL NPN 50V 70MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：剪切帶 (CT)

DTC114YMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL NPN 50V 70MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：Digi-Reel®

• IDT72T3685L4-4BB

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BGA    IC FIFO 16384X36 4-4NS 208-BGA

• DS99R103TSQ/NOPB

  接口 - 串行器，解串行器    Texas Instruments    48-WFQFN 裸露焊盤    IC SERIALIZER LVDS 24BIT 48LLP

• GRM319E41H224MA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.22UF 50V 20% Z5U 1206

• DS1010-300

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DELAY LINE 10TAP 300NS 14-DIP

• DTC114YETL

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SC-75，SOT-416    TRANS NPN 50V 70MA SOT-416

• LLA315R71C104MA14L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 1206

• IDT72T3695L4-4BB

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BGA    IC FIFO 32768X36 4-4NS 208BGA

• DS99R105SQ/NOPB

  接口 - 串行器，解串行器    Texas Instruments    48-WFQFN 裸露焊盤    IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48LLP

• IM07JR

  信號，高達(dá) 2 A    TE Connectivity        RELAY TELECOM DPDT 2A 24V

• DS1010S-125/T&R

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC

• LLA315R71C224MA14L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.22UF 16V 20% X7R 1206

• IDT72T3695L5BBI

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BGA    IC FIFO 32768X36 5NS 208BGA

• DS99R105VS/NOPB

  接口 - 串行器，解串行器    Texas Instruments    48-TQFP    IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48TQFP

• IM23GR

  信號，高達(dá) 2 A    TE Connectivity        RELAY TELECOM DPDT 2A 5V

• DTC115EET1G

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    ON Semiconductor    SC-75，SOT-416    TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3