DTC124EM 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

DTC124EM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 22/22K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：-

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：剪切帶 (CT)

DTC124EM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 22/22K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：-

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：帶卷 (TR)

DTC124EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 30MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：帶卷 (TR)

DTC124EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 30MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：剪切帶 (CT)

DTC124EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 30MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：Digi-Reel®

• IMC0603ER82NJ01

  固定式    Vishay Dale    0603（1608 公制）    INDUCTOR WW 82NH 5% 0603

• DTC124EETL

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SC-75，SOT-416    TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3

• GRM319R61A106KE19J

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 10UF 10V 10% X5R 1206

• IDT72V06L25JI8

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LCC（J 形引線）    IC ASYNCH 8192X18 25NS 32PLCC

• IDTSTAC9205D5NBEB2XR

  接口 - 編解碼器    IDT, Integrated Device Technology Inc    48-VFQFN 裸露焊盤    IC AUDIO CODEC 4CH HD 5V 48-QFN

• LLL185C70G334MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）寬（長側(cè)）0306（0816 公制）    CAP CER 0.33UF 4V 20% X7S 0306

• DSA26G

  單二極管/整流器    ON Semiconductor    *    DIODE RECT 2.6A 600V AXIAL

• DS1013S-80+

  時鐘/計(jì)時 - 延遲線    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DELAY LINE 80NS 16-SOIC

• LGN2P102MELC30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 1000UF 220V 20% SNAP

• IDT72V201L10PF8

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LQFP    IC FIFO SYNC 256X9 10NS 32-TQFP

• GRM319R61A475KA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 10V 10% X5R 1206

• LLL185C70G334MA11L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）寬（長側(cè)）0306（0816 公制）    CAP CER 0.33UF 4V 20% X7S 0306

• DSA30C45HB

  二極管，整流器 - 陣列    IXYS    TO-247-3    DIODE SCHOTTKY 45V 2X15A TO-247

• LGN2P391MELA25

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 390UF 220V 20% SNAP

• DS1020S-100+T

  時鐘/計(jì)時 - 延遲線    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DELAY LINE 256TAP 16-SOIC