DTC143EM 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

DTC143EM3T5G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：帶卷 (TR)

DTC143EM3T5G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：剪切帶 (CT)

DTC143EMT2L詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：剪切帶 (CT)

DTC143EMT2L詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：Digi-Reel®

DTC143EMT2L詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：帶卷 (TR)

• IDT72V2111L15PF

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    64-LQFP    IC FIFO SS 512X9 15NS 64QFP

• LGN2W391MELB50

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 390UF 450V 20% SNAP

• DTC143EM3T5G

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    ON Semiconductor    SOT-723    TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723

• IMC0805ERR47J01

  固定式    Vishay Dale    0805（2012 公制）    INDUCTOR WW 470NH 5% 0805

• LLL185R71E103MA11L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）寬（長側(cè)）0306（0816 公制）    CAP CER 10000PF 25V 20% X7R 0306

• GRM319R71C105MC11D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 16V 20% X7R 1206

• DSA750400L

  晶體管(BJT) - 單路    Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products    TO-243AA    TRANS PNP 20V 4A MINIP3

• DS1045S-3+T&R

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DELAY LINE 16TAP 16-SOIC

• IDT72V2111L15PFGI

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    64-LQFP    IC FIFO SYNC 3.3V 15NS 64-TQFP

• IMC0805ERR56J01

  固定式    Vishay Dale    0805（2012 公制）    INDUCTOR WW 560NH 5% 0805

• LLL185R71E153MA11L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）寬（長側(cè)）0306（0816 公制）    CAP CER 0.015UF 25V 20% X7R 0306

• DSA75-12B

  單二極管/整流器    IXYS    DO-203AB，DO-5，接線柱    DIODE ANODE 1200V 110A DO-203AB

• IDT72V211L10PF

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LQFP    IC FIFO SYNC 512X9 10NS 32-TQFP

• DS1050Z-001

  時鐘/計時 - 專用    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC PWM 5BIT 1KHZ 2-WIRE 8SOIC

• GRM319R71C564KA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.56UF 16V 10% X7R 1206