FQA6N90C 全國供應商、價格、PDF資料

FQA6N90C_F109詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：900V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.3 歐姆 @ 3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1770pF @ 25V

功率_最大：198W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應商設備封裝：TO-3PN

包裝：管件

• CGJ5L2X7R2A104K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206

• FK1840003

  振蕩器    Pericom    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 18.432MHZ 3.3V SMD

• ESR10EZPF1200

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 120 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2X7R1C224K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603

• FQA6N80

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

• CGA6M2C0G2A333J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.033UF 100V 5% NP0 1210

• CGJ5L3C0G2D682J

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 6800PF 200V 5% NP0 1206

• ESR10EZPF1301

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FK18C0G1H060D

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 6PF 50V RADIAL

• CGJ5L3X7R2D333K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 0.033UF 200V X7R 1206

• CGA6M2X7R1E475K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1210

• ESR10EZPF1503

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 150K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FK18C0G1H150J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 15PF 50V 5% RADIAL

• CGA3E2X7R1C224K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603

• CGJ5L4C0G2H103J

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 10000PF 500V NP0 1206