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庫(kù)存索引271
» 型號(hào)"FQD19N10"的供應(yīng)信息
FQD19N10 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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FQD19N10LTF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 7.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)
FQD19N10LTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 7.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252-3
包裝:剪切帶 (CT)
FQD19N10LTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 7.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252-3
包裝:Digi-Reel®
FQD19N10LTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 7.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252-3
包裝:帶卷 (TR)
FQD19N10TF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 7.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)
FQD19N10TM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 7.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)
FQD19N10供應(yīng)商
FQD19N10LTM
輝華拓展
0755-83202411
FQD19N10LTM
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
13410941925
FQD19N10TM
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
FQD19N10LTM
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-88917652
FQD19N10TM
深圳宇邦高科技有限公司
15899765957 1
FQD19N10LTM
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
0755-82522939
FQD19N10LTM
深圳市裕碩科技有限公司
0755-23613962
FQD19N10LTF
深圳市海虹微電子有限公司
0755-83291010
FQD19N10LTM
深圳市金億泰電子有限公司
755-83252273
FQD19N10LTM
深圳市昭興微電子有限公司
0755-23991909
FQD19N10TM
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62962871、
FQD19N10LTM
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23915992
FQD19N10LTM
深圳市恒佳微電子有限公司
0755-82533156
FQD19N10L/TO-252
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
0755-83258002
FQD19N10LTM
深圳市和諧世家電子有限公司
0755-82731800
FQD19N10L/TO-252
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
0755-23607529
查看更多FQD19N10的供應(yīng)商
FQD17P06TF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
CMF501K9600FKRE
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1.96K OHM 1/4W 1% AXIAL
GRM0335C1E910JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 91PF 25V 5% NP0 0201
GLZ52W
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
FRM3WSJR-73-220R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 220 OHM 3W 5%
FA1-NDSJ-C09-0
同軸,RF Amphenol-RF Division 4-SMD,無(wú)引線(DFN,LCC) CONN JACK FAKRA .057 OD CABLE
FQD17P06TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
CMF501M0000GKR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1M OHM 1/4W 2% AXIAL
GRM0335C1E9R0DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 9PF 25V NP0 0201
FRM-50GR-52-270R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 270 OHM 1/2W 2%
GLZ52W
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
GRM0335C1E9R0DD01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 9PF 25V NP0 0201
CMF501M4700FLEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1.47M OHM 1/4W 1% AXIAL
FA1-NESJ-C01-6
同軸,RF Amphenol-RF Division 4-SMD,無(wú)引線(DFN,LCC) CONN JACK FAKRA RG-174/316
FQD1N50TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
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