

FQD8P10TF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
FQD8P10TF_NB82052詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
FQD8P10TM詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:TO-252-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
FQD8P10TM詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:TO-252-3
- 包裝:Digi-Reel®
FQD8P10TM詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:TO-252-3
- 包裝:帶卷 (TR)
FQD8P10TM_F080詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- FFC,F(xiàn)PC(扁平軟線)- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 30POS .5MM SMD GOLD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) RES 10.5K OHM 1/4W .1% 1206 SMD
- 存儲器 Fremont Micro Devices USA 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOP
- 撥動開關(guān) NKK Switches SWITCH TOGGLE SPDT RIGHT ANGLE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 2.4K OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- FFC,F(xiàn)PC(扁平軟線)- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 40POS .5MM SMD GOLD
- TVS - 二極管 STMicroelectronics 6-UFDFN TRANSIL ARRAY ESD 5CH 6UDFN
- 存儲器 Fremont Micro Devices USA 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) RES 110 OHM 1/4W .1% 1206 SMD
- 布線管,配線管道 Panduit Corp DUCT WIRE SLOT ADH LT GRY 6’/72"
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 27 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- FFC,F(xiàn)PC(扁平軟線)- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 45POS .5MM SMD GOLD
- TVS - 二極管 STMicroelectronics 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSIL ARRAY DATA PRO SOT-323-6