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HUF75321D3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 20A IPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：93W; 安裝類(lèi)型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線(xiàn)，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

HUF75321D3S詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：93W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

HUF75321D3ST詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：93W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：剪切帶 (CT)

HUF75321D3ST詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：93W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：Digi-Reel®

HUF75321D3ST詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：93W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

EBA43DTBT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS R/A .125 SLD
HW-AFX-SMA-RJ45
過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Xilinx Inc CONVERSION MODULE SMA - RJ45
HUF75321D3ST
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
HMA121D
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 4-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER TRANS OUT 4MFP
HS3887ECN61H
配件 Renesas Electronics America DEV EMULATOR PCB ADAPTOR
ECA-2AM4R7I
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can CAP ALUM 4.7UF 100V 20% RADIAL
ECC35DCMD-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS .100 EXTEND
LFX200EB-05F516C
嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） Lattice Semiconductor Corporation 516-BBGA IC FPGA 210KGATE 208I/O 516FPBGA
EBA43DTKD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS DIP .125 SLD
HS3887ECN61H
配件 Renesas Electronics America DEV EMULATOR PCB ADAPTOR
HMA121DR3
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 4-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER TRANS OUT 4MFP
ECC35DCMN-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS .100 EXTEND
ECA-2CHG101B
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can CAP ALUM 100UF 160V 20% RADIAL
LFXP10C-3F388C
嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） Lattice Semiconductor Corporation 388-BBGA IC FPGA 9.7KLUTS 244I/O 388-BGA
EBA43DTMD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS R/A .125 SLD

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ECA-2AM4R7I

ECC35DCMD-S288

LFX200EB-05F516C

EBA43DTKD

HS3887ECN61H

HMA121DR3

ECC35DCMN-S288

ECA-2CHG101B

LFXP10C-3F388C

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