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HUF75545P3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：235nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 25V; 功率_最大：270W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

HUF75545S3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：235nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 25V; 功率_最大：270W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262AA; 包裝：管件

HUF75545S3S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：235nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 25V; 功率_最大：270W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：管件

HUF75545S3ST詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：235nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 25V; 功率_最大：270W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HUF75545S3ST詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：235nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 25V; 功率_最大：270W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

HUF75545S3ST詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：235nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 25V; 功率_最大：270W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

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HUF75542P3
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS R/A .125 SLD
HS-4-10
電路板襯墊，支座 Richco Plastic Co HEX SPACER FOR #4 SCREW 1 1/4"
HMA121FR3
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 4-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER TRANS OUT 4MFP
ECA-2EM010
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can CAP ALUM 1UF 250V 20% RADIAL
ECC35DRST-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD
LFXP10E-3FN256I
嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） Lattice Semiconductor Corporation 256-BGA IC FPGA 9.7KLUTS 256FPBGA
EBA44DTBH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS R/A .125 SLD

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