

IRF1404ZSPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4340pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF1404ZSTRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4340pF @ 25V
- 功率_最大:220W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF1404ZSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4340pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF1404ZSTRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4340pF @ 25V
- 功率_最大:220W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF1404ZSTRRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4340pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,導線引線,帶連接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M12 CONN
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC TXRX RS485/422 ESD 8SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 TXRX ESD 3.3V RS-485/422 10-DFN
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC