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IRF3205L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF3205LPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF3205PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF3205SPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF3205STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
IRF3205STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HI FLEX SIDEVIEW 3MM HEAD
- AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
- FET - 單 International Rectifier TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div T-BEAM FIBER R4 RUGGED 2M CBL
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
- AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
0755-83202411 
0755-83222787 
