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IRF3415L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 43A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3415PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3415S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3415SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3415STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF3415STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IXTR200N10P
FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
ISC1812RQ2R7J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
IRF3415STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
ECS-122.8-S-4
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.288 MHZ SER 49US
ISL6420AIAZ-TK
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 20-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 20-QSOP
LP2985IM5-3.0
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 3V .15A SOT23-5
ECS-162.5-S-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257MHZ SERIES SMD
ECS-100-S-28A-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
IXTT20N50D
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
ECS-122.8-S-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.288MHZ SERIES SMD
ISL6420AIRZ-TK
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 20-QFN
ECS-177.3-18-5PXEN
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
LP2985IM5-3.3
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 3.3V .15A SOT23-5
ECS-100-S-28A-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
IXTT24N50Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

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