IRF3415L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設(shè)備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF3415PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF3415S詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF3415SPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF3415STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF3415STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
- FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.288 MHZ SER 49US
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 20-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 20-QSOP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 3V .15A SOT23-5
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257MHZ SERIES SMD
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.288MHZ SERIES SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 20-QFN
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 3.3V .15A SOT23-5
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
0755-83202411 
