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IRF3703PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：210A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 76A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：209nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8250pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3704詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3704L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3704LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3704PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3704SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

H8MMH-4018G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM40H/AE40G/HDM40H
H2BXG-10103-Y6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049Y/X 3"
H2AXT-10108-A4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A2015A/X 8"
IRF3315STRL
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
GT1-OD32ML-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CONN 32PT MC OUTPUT PNP
IRF7421D1TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
FFVE6C0476KJE
薄膜 AVX Corporation 徑向，Can - 螺絲端子 CAP FILM 47UF 900VDC SCREW
H2BXG-10104-V8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048V/X 4"
H8MMH-4036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM40H/AE40M/HDM40H
H2AXT-10108-G8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3048G/X 8"
IRF7424GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H2BXG-10104-Y8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048Y/X 4"
FFVE6K0107K--
薄膜 AVX Corporation 徑向，Can - 螺絲端子 CAP FILM 100UF 600VDC SCREW
H8MMH-5006G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50H/AE50G/HDM50H
H2BXG-10105-A4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015A/X 5"

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