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IRF5305L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF5305LPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF5305PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF5305S詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF5305SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF5305STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IN1030 RFI 1
配件 APM Hexseal SC-74，SOT-457 BOOT FULL TOG 15/32-32 GRAY RFI
IPI80N06S4L-05
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IHLP4040DZER101M11
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 100UH 2.5A SMD
IRF5305SPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
CRT1-VMD32ML-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16IN/16OUT; PNP: MIL CONNECTOR
IPI80N08S2-07
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
IN1030 RFI 1/2-32 1
配件 APM Hexseal SC-74，SOT-457 BOOT FULL TOG 1/2-32 GRAY RFI
F1842HD1600
SCR Crydom Co. 模塊 MODULE SCR/DIODE 40A 600VAC
CRT1-VOD08S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 IN PNP VERT ECON
IHLP4040DZER1R0M11
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 25A SMD
CRT1-VOD08S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 IN PNP VERT ECON
IPI90R340C3
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
F1842HD400
SCR Crydom Co. 模塊 MODULE SCR/DIODE 40A 120VAC
IN1030 RFI 1/2-32 1
配件 APM Hexseal SC-74，SOT-457 BOOT FULL TOG 1/2-32 GRAY RFI
CRT1-VOD08S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 IN PNP VERT ECON

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