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IRF540STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF540STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF540STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3910TRR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
IRF540STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
HLMP-CE26-WZ000
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 505NM CYAN 23DEG
HFBR-4532
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK CONN CRIMPLESS BLACK
IXFX15N100
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
FVXO-LC73BR-96
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 96 MHZ 3.3V LVDS SMD
CY7C1399BN-20ZXCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP
GRM1556S1H6R5CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 6.5PF 50V S2H 0402
IRFR4104TR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
HFBR-4532
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK CONN CRIMPLESS BLACK
IXFX170N20P
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
CY7C1399BNL-15ZXCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP
FVXO-PC52B-212.5
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 212.5 MHZ 2.5V PECL SMD
GRM1556S1H6R6DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 6.6PF 50V S2H 0402
IRFR4104TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

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