

IRF620詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
- 系列:PowerMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:70W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF620詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF6201PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 27A SO-8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.45 毫歐 @ 27A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:195nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:8555pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF6201TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.45 毫歐 @ 27A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:195nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:8555pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6201TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.45 毫歐 @ 27A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:195nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:8555pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF6201TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.45 毫歐 @ 27A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:195nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:8555pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- 溫度 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC THERM MICROLAN HI-PREC 8SOIC
- RF 天線 Laird Technologies IAS SC-74,SOT-457 ANT SECTOR 2400-2485MHZ 7DBI
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 41POS PIN
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS FLANGE W/SKT
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP,GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS .156 SQ WW
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 22POS PIN
- 存儲器,PC 卡 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IBUTTON TEMPERATURE F5
- 鍵盤 Tripp Lite SC-74,SOT-457 KEYBOARD MOUSE WIRELESS W/BASE
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SCKT
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 41POS PIN
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 22POS SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP,GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND
- RF 天線 Laird Technologies IAS SC-74,SOT-457 ANT OMNIDIR DUAL BAND 5DBI N FEM