IRF6609詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 31A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6290pF @ 10V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6609詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 31A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6290pF @ 10V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6609TR1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 31A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6290pF @ 10V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6609TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 31A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6290pF @ 10V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6609TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 31A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6290pF @ 10V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：Digi-Reel®
IRF6609TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 31A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6290pF @ 10V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - 熱管理 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TEMP SENSOR DGTL 8-MSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS POWER SUPPLY 12VDC W/RS-485
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
- DIP E-Switch SW DIP SLIDE SPST 5 POS SEALED
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA CONN RCPT .100" 30POS DL PCB SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）8 引線 IC OPAMP ISO 50KHZ SGL 28SOIC
- 溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT23-5
- 接口 - 模擬開關(guān)，多路復用器，多路分解器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC MUX/DEMUX 4X1 10MSOP
- PMIC - 熱管理 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TEMP SENSOR DGTL 8-MSOP
- DIP E-Switch SW DIP SLIDE SPST 6 POS UNSEALED
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA CONN RCPT .100" 40POS DL PCB R/A
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）8 引線 IC OPAMP ISO 50KHZ SGL 28SOIC
- 溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT23-5
- 接口 - 模擬開關(guān)，多路復用器，多路分解器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC SWITCH DUAL DPDT 10MSOP
- 評估板 - 傳感器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） BOARD EVALUATION LM89-1
0755-88291559 
