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IRF6619TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6619TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6619TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6619TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6619TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：Digi-Reel®

LMC7221AIM5X/NOPB
線性 - 比較器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
IRF6618TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
KMPC8347EVRAGDB
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 620-BBGA 裸露焊盤(pán) IC MPU POWERQUICC II 620-PBGA
KPSE01F14-12S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS CBL MNT SKT
K392K20C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
IMC0805ERR10J
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR 100NH 5% 0805
IVS1-5Q0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPT06B20-41SXF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 41POS W/SKT CABLE
IRF7450TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
K392K20C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
IMC0805ERR18J
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR 180NH 5% 0805
KPT06B22-21S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 21POS CABLE SKT
IVS1-5Q0-1Q0-5Q0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7452
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
KMPC8347VVAGDB
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA