IRF6635詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6635TR1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6635TR1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6635TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：Digi-Reel®
IRF6635TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6635TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC FREQ SYNTHESIZER DUAL 20TSSOP
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 12-VQFN 裸露焊盤 IC DRIVER HALF BRIDGE TTL 12-QFN
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.016UF 50VDC RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 130 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC AMP LP VOLT FEEDBACK SOT23-5
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 50V 5% RADIAL
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 16-VFQFN，CSP IC FREQ SYNTH 2.0GHZ 16LAMCSP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR PWM CM 16QFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 180PF 50VDC RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 16 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 50V 5% RADIAL
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC FREQ SYNTH 2.0GHZ RF 16-TSSOP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG CTRLR PWM CM 8MSOP
- IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 40A 600V TO-247AD
0755-82561519 
0755-83226745 
