IRF6668TR1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：80V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6668TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：80V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
- 包裝：Digi-Reel®
IRF6668TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：80V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6668TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：80V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6668TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：80V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6668TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：80V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 47PF 50V 2% T2H 0402
- PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC CURRENT SENSE 0.5% 8DIP
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165FBGA
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 99.5328 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- FET - 陣列 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 4.4PF 50V T2H 0402
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165LFBGA
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 1.163 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
- PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 International Rectifier 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CURRENT SENSE 0.2% 16SOIC
- FET - 陣列 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
0755-82561519 
0755-23919407 
