久久久久久久久,国内精品,久久久受www免费人成

IRF6668TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6668TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6668TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：帶卷 (TR)

IRFS33N15DPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
GRM1556T1H470GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 47PF 50V 2% T2H 0402
IR2175PBF
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC CURRENT SENSE 0.5% 8DIP
CY7C1470BV33-250BZXC
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165FBGA
IRF6668TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
HFBR-QUS500Z
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
FXO-HC736R-99.5328
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 99.5328 MHZ 3.3V HCMOS SMD
FW231A-TL-E
FET - 陣列 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
GRM1556T1H4R4CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 4.4PF 50V T2H 0402
CY7C1470V25-200BZI
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165LFBGA
FXO-HC738-1.163
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 1.163 MHZ 3.3V HCMOS SMD
HFBR-QUS500Z
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
IR2177STRPBF
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 International Rectifier 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CURRENT SENSE 0.2% 16SOIC
FW231A-TL-E
FET - 陣列 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
IRFS4010TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

IRF6668 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRF6668TR1詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TRPBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TRPBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668供應(yīng)商

IRFS33N15DPBF

GRM1556T1H470GD01D

IR2175PBF

CY7C1470BV33-250BZXC

IRF6668TRPBF

HFBR-QUS500Z

FXO-HC736R-99.5328

FW231A-TL-E

GRM1556T1H4R4CD01D

CY7C1470V25-200BZI

FXO-HC738-1.163

HFBR-QUS500Z

IR2177STRPBF

FW231A-TL-E

IRFS4010TRLPBF

IRF6668 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRF6668TR1詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TRPBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668TRPBF詳細(xì)規(guī)格

IRF6668供應(yīng)商

IRF6668 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料