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IRF710 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF710詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：400V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1.2A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
功率_最大：36W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

IRF7101PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：管件

IRF7101TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：Digi-Reel®

IRF7101TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

IRF7101TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：剪切帶 (CT)

IRF7103PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：50V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：管件

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