IRF720 全國供應商、價格、PDF資料

IRF720詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：400V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF7201詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7201PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7201TR詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7201TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7201TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

• H2BBG-10102-V8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1501TR/A3048V/H1501TR 2"

• INA196AIDBVTG4

  PMIC - 穩(wěn)流/電流管理    Texas Instruments    SC-74A，SOT-753    IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5

• IRF7201PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

• DTS24F25-35AN

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG RCPT JAM NUT 128POS PIN

• HBC19DRTH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD

• DTS20W25-35JB

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 128POS FLANGE W/SKT

• GTC030A-20-8SW

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT

• H2BBG-10102-W8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1501TR/A3048W/H1501TR 2"

• IMP4-3Q2-00-A

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• DTS24F25-35BC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG RCPT JAM NUT 128POS SKT

• HBC19DRTH-S13

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 38POS .100 EXTEND

• GTC030A-28-79S

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 16POS PANEL MNT W/SCKT

• DTS20W25-35JC

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 128POS FLANGE W/SKT

• INA197AIDBVT

  PMIC - 穩(wěn)流/電流管理    Texas Instruments    SC-74A，SOT-753    IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5

• H2BBG-10103-W4-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1501TR/A2015W/H1501TR 3"