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IRF720詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF7201詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7201PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7201TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7201TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7201TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

H2BBG-10102-V8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048V/H1501TR 2"
INA196AIDBVTG4
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
IRF7201PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
DTS24F25-35AN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 128POS PIN
HBC19DRTH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD
DTS20W25-35JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 128POS FLANGE W/SKT
GTC030A-20-8SW
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT
H2BBG-10102-W8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048W/H1501TR 2"
IMP4-3Q2-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS24F25-35BC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 128POS SKT
HBC19DRTH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS .100 EXTEND
GTC030A-28-79S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS PANEL MNT W/SCKT
DTS20W25-35JC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 128POS FLANGE W/SKT
INA197AIDBVT
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
H2BBG-10103-W4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015W/H1501TR 3"