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IRF7321D2詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7321D2PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7321D2TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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