IRF734 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

IRF734詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：450V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V

功率_最大：74W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF7341PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7341QTRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7341QTRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7341TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7341TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

• IRF8513TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• LM4051CEM3-ADJ/NOPB

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3

• IXBOD1-19R

  TVS - 其它復(fù)合    IXYS    徑向    IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V

• IRF7341QTRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC

• ECJ-3YB1E824K

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 0.82UF 25V 10% X7R 1206

• K471K10X7RH5UL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL

• IRF8707GTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

• KPT06E20-16PDZ

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 16POS CABLE PIN

• KPSE02E16-26SZ

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT SKT

• ECJ-3YB2A104K

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206

• IXBOD1-21R

  TVS - 其它復(fù)合    IXYS    徑向    IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V

• K471K15C0GF53L2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL

• KPT06E20-16PY

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 16POS CABLE W/PIN

• KPSE02E16-26SZA206

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS

• IRF8707TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC