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IRF7416GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7416GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7416GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7416PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7416QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7416QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF840S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF7413PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
H3BWH-1606G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR16H/AE16G/HPL16H
HC1E-H-AC240V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 非標(biāo)準(zhǔn) RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 240V
HCNW4562-000E
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER ANLG/VID 1CH 8-DIP
E39-S48
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT .5MM 1MM OR 2MM DIA E3S-B
HFW13R-2STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 徑向，圓盤 HFW13R-2STE1LF FFC/FPC CONN
H3BWH-2006G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR20H/AE20G/HPL20H
ISC1210ER3R3K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 3.3UH 10% 1210
E39-S48
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT .5MM 1MM OR 2MM DIA E3S-B
HC1E-H-DC12V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 非標(biāo)準(zhǔn) RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 12V
HCP0605-R10-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 95NH SMD
HFW14R-2STE1
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 徑向，圓盤 HFW14R-2STE1-FFC/FPC CONN
H3BWH-4018M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR40H/AE40M/HPL40H
IRF7420PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC

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