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IRF7459詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2480pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7459PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2480pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7459TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2480pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7459TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2480pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7459TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2480pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7459TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2480pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7456TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
IRF6622TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
KMPC8349VVAJFB
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
KPT06B22-41P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 41POS W/PIN CABLE
KPSE01F14-12SF0
圓形 - 外殼 ITT Cannon 12 SOCKET CONTACT CONNECTOR
IMC1008ER22NJ
固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 22NH 5% SMD
IVS1-5U0-5U0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
K392M10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 50V X7R RADIAL
KMPC8358VRAGDDA
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 668-BBGA 裸露焊盤 IC MPU POWERQUICC II PRO 668PBGA
KPT06B22-55PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 55POS W/PIN CABLE
KPSE01F14-15P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 15POS CBL MNT PIN
K392M10X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V X7R RADIAL
IVS1-5U0-5U0-60-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IMC1008ER3R9J
固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 3.9UH 5% SMD
IRF6628TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

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