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IRF7526D1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：管件

IRF7526D1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：管件

IRF7526D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7526D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：帶卷 (TR)

FK28C0G1H682J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 6800PF 50V 5% RADIAL
H2F1.58BK25
熱縮布 Techflex 2:1 FAB HEATSHRINK BLK 40MM 25’
IRF7524D1TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
IRF5810TR
FET - 陣列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
H2BBT-10104-N8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048N/H1500TR 4"
FGA25N120ANTDTU_F109
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT NPT 25A 1200V TO-3P
IPI110N20N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
H2F-D AC100/110/120
延時型 Omron Electronics Inc-IA Div MOTOR TIMER 24HR SPST-NO FLUSH
FK28C0G1H820J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 82PF 50V 5% RADIAL
IRF5850TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
H2BBT-10104-R4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015R/H1500TR 4"
FGA30N120FTDTU
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT 30A 1200V TRENCH TO-3P
IPI120N04S3-02
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
H2MXH-1606M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16H/AE16M/X
GP10YE-E3/54
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE 1A 1600V STD SMC