IRF7702詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 8A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設(shè)備封裝：8-TSSOP
- 包裝：管件
IRF7702GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 8A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設(shè)備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7702GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 8A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設(shè)備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7702GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 8A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設(shè)備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7702TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 8A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設(shè)備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7702TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 8A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設(shè)備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 330UH .37A SMD
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT PDP 330V TO-220AB FP
- 網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 5.6 OHM 4 RES 1206
- PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC CURRENT MONITOR 1% SC70-6
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220AB 整包 IGBT PDP 600V 25A TO-220ABFP
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 3.3UH 4.6A SMD
- 其它 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT 330V 20A 34W TO-220FP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC CURRENT SHUNT MONITOR SC70-6
- 網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 620 OHM 4 RES 1206
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT 360V 20A 34W TO220FP
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
0755-88291559 
0755-83226745 
