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IRF7807VD1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7807VD1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7807VD1TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7807VD1TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7807VD1TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7807VD1TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7807VD1
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
L2-KL7-K2
配件 Dialight KIT EVAL FOR LUXEON K2 LEDS
ECW-F4623JLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.062UF 400VDC RADIAL
K223M15X7RH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.022UF 100V 20% RADIAL
LP37OACGR
按鈕 E-Switch 4-DIP（0.200"，5.08mm） SWITCH PUSH SPDT 0.25A 50V
LB3803X
LED - 分立式 Stanley Electric Co 徑向 LED BLUE ROUND 3MM THROUGH HOLE
ECS-300-S-20A-F-TR
晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 30.000MHZ SERIES SMD
ECW-F4623RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.062UF 400VDC RADIAL
L2-MLC1-F
LED- 高亮度電源模塊 Bivar Inc LED COOL WHT 6500K 3000MA
LP38500ATJ-ADJ/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments TO-263-5 薄型 IC REG LDO ADJ 1.5A TO263-5
K223M15X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.022UF 100V 20% RADIAL
ECS-300-S-30B-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 30.000 MHZ SERIES SMD
LB-602AA2
顯示器模塊 - LED 字符與數字 Rohm Semiconductor 18-DIP DISPLAY 7SEG 14.3MM 2DGT RED CA
ECW-F4624HLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.62UF 400VDC RADIAL
IRF7807ZTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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